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CuInSe2（CIS），Cu（In，Ga）Se2（CIGS）半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及制备上的挑战，20多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关注。介绍了CIS／CIGS基黄铜矿系光伏材料的微结构、缺陷物理模型。阐明了缺陷类型与材料电学性能的关系：Cu空位Vcu是P型材料中的主要受主，Se空位Vse是n型材料中的主要施主；以及Na元素的作用：优化膜的形貌、提高膜的导电率、还能减小缺陷的浓度。综述了两种常用制备方法（蒸镀法、溅射法）的研究进展。