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45nm节点在悄悄行动
45nm节点在悄悄行动
来源 :中国集成电路 | 被引量 : 0次 | 上传用户:imimim2
【摘 要】
:
2006年2月英特尔率先在全球推出45nm 153Mb SRAM原型,并准备于2007年下半年量产,从此拉开了45nm技术节点序幕。本文介绍了45nm节点的发展动态,并着重介绍45nm光刻、应变硅、低k
【作 者】
:
翁寿松
【机 构】
:
无锡市罗特电子有限公司
【出 处】
:
中国集成电路
【发表日期】
:
2006年5期
【关键词】
:
技术节点
SRAM
离子掺杂
英特尔
应变硅
铜互连
管结构
SOI
光刻
等效
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2006年2月英特尔率先在全球推出45nm 153Mb SRAM原型,并准备于2007年下半年量产,从此拉开了45nm技术节点序幕。本文介绍了45nm节点的发展动态,并着重介绍45nm光刻、应变硅、低k膜、铜互连,高k膜、新型晶体管结构、SOI和等效离子掺杂等工艺。
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