【摘 要】
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建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距
【机 构】
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河北工业大学材料学院信息功能材料研究所
【基金项目】
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河北省科学技术研究与发展指导计划(07215134),河北省自然科学基金(E2007000119)
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建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离、NH3出气口尺寸、衬底旋转等模型,分别进行数值模拟,模拟结果显示,衬底距离出气口的距离及NH3出气口尺寸是影响GaCl与NH3在衬底上的均匀分布和沉寂速率均匀性的重要因素。衬底不同转速则对本反应室中的GaCl与NH3在衬底上的均匀分布、沉寂速率的均匀性影响不大。通过数值模拟发现反应室存在的缺陷,并利用模拟结果对反应室进行了优化。
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