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介绍了高电子迁移率场效应晶体管（PHEMT）器件的结构，并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响，总结了界面态分析方法，包括：通过沟道峰值电场和碰撞电离率来研究界面态的密度；二维量子模型模拟法的应用；根据跨导随频率变化的规律来测量界面态的密度。
PHEMT器件界面态分析方法综述
【摘 要】
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介绍了高电子迁移率场效应晶体管（PHEMT）器件的结构，并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响，总结了界面态分析方法，包括：通过沟道峰值电场和碰撞
【机 构】
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华南理工大学物理科学与技术学院,信息产业部电子第五研究所
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2008年3期
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