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钛酸钡陶瓷中,高温下晶格失氧使晶粒内部氧匮乏。在氧化气氛中烧成,晶界则是富氧环境。缺陷或杂 质在晶界上进一步氧化,产生晶粒中并不存在的缺陷种类。杂质和缺陷在晶界上与晶粒内部有不同的行为。某些在 晶界上被氧化成高价态的缺陷和杂质,在晶粒中不能存在,而在晶界上以亚稳态形式存在。它们在铁电相变点跃迁 回低价稳态,产生电子陷阱,使材料电阻率迅速增大,形成PTCR效应。