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通过测量深亚微米器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系,分析SOIPMOS器件尺寸进入深亚微米后的热载流子效应引起的退化规律.模拟了在最坏应力条件下,最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系,以及器件寿命与应力Vd的关系.
深亚微米PMOS／SOI热载流子效应研究与寿命评估
【摘 要】
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通过测量深亚微米器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系,分析SOIPMOS器件尺寸进入深亚微米后的热载流子效应引起的退化规律.模拟了在最坏应力条件下,最大线性区
【机 构】
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浙江工业大学信息学院
【出 处】
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浙江工业大学学报
【发表日期】
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2003年4期
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