【摘 要】
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设计了一种超低功耗全CMOS基准电路:既能产生1nA的基准电流又能产生560mV的基准电压。通过亚阈值设计方法有效降低了基准电路的功耗;采用工作在深线性区的MOS管取代了传统基
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学
【基金项目】
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国家重大科技专项(2014ZX02302002)
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设计了一种超低功耗全CMOS基准电路:既能产生1nA的基准电流又能产生560mV的基准电压。通过亚阈值设计方法有效降低了基准电路的功耗;采用工作在深线性区的MOS管取代了传统基准电路中的电阻,大大降低了面积;采用共源共栅电流镜提高了电源抑制比。利用SMIC55nm的工艺,使用Cadence Spectre对电路进行了仿真。仿真结果表明,在-40℃到110℃的温度范围内,基准电流的温漂系数为0.28%/℃,基准电压的温漂系数为24ppm/℃;在0.9V到2V电源电压范围内,基准电流的电源电压调整率为2.6%
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