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研究了磁等离子化学气相沉积的不同工艺条件对ＳｎＯ２薄膜导电性能的影响，实验结果表明，外加适当位移，大小的纵向磁镜场，可使等离子体化学气相沉积技术中制备ＳｎＯ２薄膜所需的氧气流量降低，沉积时间缩短，且制得的薄膜电阻大大降低，轴向分布均匀性明显增加，对以上结果进行了分析和讨论。
MPCVD法工艺特性对SnO2薄膜导电性的影响
【摘 要】
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研究了磁等离子化学气相沉积的不同工艺条件对ＳｎＯ２薄膜导电性能的影响，实验结果表明，外加适当位移，大小的纵向磁镜场，可使等离子体化学气相沉积技术中制备ＳｎＯ２薄膜所需的氧气流量降低，沉积
【机 构】
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华中理工大学物理系
【出 处】
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华中理工大学学报
【发表日期】
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1998年A02期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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