【摘 要】
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随着CMOS工艺尺寸的不断缩减,存储单元对高能辐射粒子变得更加敏感,由此产生的软错误和因电荷共享导致的双节点翻转急剧增多.为了提高存储单元的可靠性,提出一种由4个PMOS晶
【机 构】
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院,合肥工业大学计算机与信息学院,安徽行政学院信息工程系,安徽工程大学电气工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(61874156,61574052,61674048),安徽行政学院科研团队项目(YJKT1417T01),安徽工程大学启动基金(2018YQQ007).
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随着CMOS工艺尺寸的不断缩减,存储单元对高能辐射粒子变得更加敏感,由此产生的软错误和因电荷共享导致的双节点翻转急剧增多.为了提高存储单元的可靠性,提出一种由4个PMOS晶体管和8个NMOS晶体管组成的抗辐射加固12T存储单元,并由NMOS晶体管中的N1和N2以及N3和N4构成了堆叠结构来降低存储单元的功耗;其基于物理翻转机制避免了存储节点产生负向的瞬态脉冲,在存储节点之间引入的负反馈机制,有效地阻碍了存储单元的翻转.大量的HSPICE仿真结果表明,所提出的存储单元不仅能够完全容忍敏感节点的翻转,还能够部
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