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提出了一种新的器件结构ＭＯＰＮ，利用该器件研究了Ｓｉ／ＳｉＯ２界面缺陷对光电二极管的短波效应的影响。结果表明，提高光电二极管的短波响应的最好方法是提高ＳｉＯ２的生长质量，降低Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的缺陷以及ＳｉＯ２中离子电荷的数量，即减小由其产生的表面电势ＶＳ０的值。
Si／SiO2界面缺陷对光电二极管短波响应的影响
【摘 要】
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提出了一种新的器件结构ＭＯＰＮ，利用该器件研究了Ｓｉ／ＳｉＯ２界面缺陷对光电二极管的短波效应的影响。结果表明，提高光电二极管的短波响应的最好方法是提高ＳｉＯ２的生长质量，降低Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的缺陷以及ＳｉＯ２中离子电
【机 构】
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中南民族学院电子工程系
【出 处】
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中南民族学院学报：自然科学版
【发表日期】
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1998年3期
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