【摘 要】
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大功率电子器件(High Power Electronics)的快速发展也引起了电力系统的重大变革,通常称为硅片引起的第二次革命。近10多年来,可控整流器(SCR)、可关断的晶闸管(GTO)、MOS控
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大功率电子器件(High Power Electronics)的快速发展也引起了电力系统的重大变革,通常称为硅片引起的第二次革命。近10多年来,可控整流器(SCR)、可关断的晶闸管(GTO)、MOS控制的晶闸管(MCT)、绝缘门极双极性三极管(IGBT)等大功率高压开关器件的开断能力不断提高。目前,已经生产出6kA、6kV的GTO,单个元件的开断功率可达30MW左右,这无疑是一个巨大的进步。
The rapid development of high-power electronics (High Power Electronics) also caused a major change in the power system, often referred to as the silicon-induced second revolution. In the past 10 years, high-voltage high-voltage switching devices such as SCR, GTO, MOS-controlled thyristor (MCT) and insulated gate bipolar transistor (IGBT) improve. At present, 6kA and 6kV GTO have been produced, and the breaking power of a single component can reach about 30MW, which is undoubtedly a huge improvement.
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