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提出了一种基于氧化多孔硅厚膜隔离技术的Cu电感.厚膜隔离层降低了电感的衬底损耗,提高了电感的Q值.实验中通过多孔硅氧化和电镀Cu制备了电感样品.微波测试显示,电感在2.8GHz的频率下Q值达到了4.5,电感值约为5nH,电感的自谐振频率为9GHz.
一种用于RF技术的厚绝缘层上的铜电感
【摘 要】
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提出了一种基于氧化多孔硅厚膜隔离技术的Cu电感.厚膜隔离层降低了电感的衬底损耗,提高了电感的Q值.实验中通过多孔硅氧化和电镀Cu制备了电感样品.微波测试显示,电感在2.8GHz
【出 处】
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仪器仪表学报
【发表日期】
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2004年z1期
【基金项目】
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本文系国家973计划(G1999033105)资助项目.
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