【摘 要】
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为了提高单晶硅片的抛光效率,探究了碳酸胍(Guanidine carbonate,GC)和聚乙二醇(PEG)对硅片在含双氧水的抛光液体系中化学机械抛光(CMP)的影响及作用机理,使用白光干涉仪观察抛光后单晶硅的表面质量.结果表明:GC的加入有助于材料去除率的提高,表面粗糙度有所增大;PEG的加入,会在硅片表面形成吸附层,降低硅片静态腐蚀速率,同时具有润滑作用,在一定程度上降低去除率,但会提高表面质量.当GC含量为1.2wt.％、PEG含量为0.002 5 wt.％时,材料去除率为1 089.1 nm/mi
【机 构】
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江南大学机械工程学院,江苏,无锡,214122;江南大学机械工程学院,江苏,无锡,214122;江南大学江苏省先进食品制造装备技术重点实验室,江苏,无锡,214122
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为了提高单晶硅片的抛光效率,探究了碳酸胍(Guanidine carbonate,GC)和聚乙二醇(PEG)对硅片在含双氧水的抛光液体系中化学机械抛光(CMP)的影响及作用机理,使用白光干涉仪观察抛光后单晶硅的表面质量.结果表明:GC的加入有助于材料去除率的提高,表面粗糙度有所增大;PEG的加入,会在硅片表面形成吸附层,降低硅片静态腐蚀速率,同时具有润滑作用,在一定程度上降低去除率,但会提高表面质量.当GC含量为1.2wt.％、PEG含量为0.002 5 wt.％时,材料去除率为1 089.1 nm/min,表面粗糙度为0.844 nm(范围为550 μm×440 μm).
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