【摘 要】
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采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备得到直径60 nm的InSb/Sb超晶格纳米线阵列,并运用扫描电镜、透射电镜和电子能谱仪对其形貌与结构进行了表征与测试。高度有序的InSb/Sb
【机 构】
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合肥工业大学化学工程学院,合肥工业大学材料科学与工程学院,合肥工业大学机械与汽车工程学院
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采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备得到直径60 nm的InSb/Sb超晶格纳米线阵列,并运用扫描电镜、透射电镜和电子能谱仪对其形貌与结构进行了表征与测试。高度有序的InSb/Sb超晶格纳米线长度约为40μm,其长径比超过600。实验中,通过改变沉积电压与时间达到了对超晶格纳米线组分与结构的控制,纳米线阵列中In与Sb的原子质量比接近于1/2,在每个周期中,InSb的厚度为12 nm,Sb的厚度为20 nm。超晶格纳米线生长过程的研究表明：温度、电压等工艺参数对超晶格纳米线的生长有着重要影响,在沉积过程中
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