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采用磁控溅射技术在SiO2/Si（100）表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品。原子力显微镜（AFM）的实验结果表明：不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同。当衬底生长温度达到500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成＂Ge纳米点的Si窗口＂。在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010cm-2的Ge纳米点。