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通过分析InGaP／GsAsHBT器件的热学和电学特点，结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求，通过优化设计HBT功率器件单元和匹配电路，开发了一个大功率、高效率、小尺寸的ISM波段功率放大器单片集成电路。该三级放大器的各级器件单元的发射极面积分别为320μm^2，1280μm^2，5760μm^2，芯片内部包括了输入、输出50Ω匹配电路，面积仅为1．9mm×2．1mm。放大器采用5V单电源供电，在2．4～2．5GHz频率范围内线性增益为27dB，2dB增益压缩点