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,First-principles calculation of electronic structure of MgxZn1-xO codoped with aluminium and nitrog
【机 构】
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Institute of Applied Physics, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China
【出 处】
：
中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2011年1期
其他文献
Electrically active defects in the phosphor-doped single-crystal silicon, induced by helium-ion irradiation under thermal annealing, have been investigated. Iso
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