【摘 要】
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<正>5 SiC JFETSiC JFET利用p-n结耗尽区来控制沟道电流,可全面开发SiC的高温性能,适合高温高功率开关。SiC JFET通常是常开的,关断需加负栅压,其具有本征安全的栅驱动控制。
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<正>5 SiC JFETSiC JFET利用p-n结耗尽区来控制沟道电流,可全面开发SiC的高温性能,适合高温高功率开关。SiC JFET通常是常开的,关断需加负栅压,其具有本征安全的栅驱动控制。SiC JFET具有低开关损耗、高开关频率的特点。1999年,P.Friedrichs等人[46]研发了第一代4H-SiC JFET,浪涌电流能力为200 A/cm2,到2004年经历三代SiC JFET技术
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