【摘 要】
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在研究亚微米尺寸几何结构的超大规模集成(VLSI)时,原来得到公认的许多器件和集成电路工艺规则正在突破。有些制备方法已经具备了100埃级的器件几何的制备能力,可是,物理极限
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在研究亚微米尺寸几何结构的超大规模集成(VLSI)时,原来得到公认的许多器件和集成电路工艺规则正在突破。有些制备方法已经具备了100埃级的器件几何的制备能力,可是,物理极限的卷入,使常规的器件和系统的规则无法简单地从大尺寸一下子按比例缩小到分子级。
Many of the previously recognized process regulations for devices and integrated circuits are breaking ground in the study of very large scale integration (VLSI) of sub-micron size geometries. Some preparation methods already have the ability to produce device geometry of the order of 100 Angstroms, however, physical limits are involved, so that conventional device and system rules can not simply be scaled down to the molecular level from large dimensions.
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