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本文采用ＬＰＥ生长技术，分析，研究了降温，恒温两种方法生长的ＩｎＡｓＰＳｂ外延层组分分布。实验结果表明，用恒温方法生长的外延层，Ｐ、Ｓｂ组分分布均匀不变。
LPE InAsPSb外延层组分分布的均匀性的研究
【摘 要】
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本文采用ＬＰＥ生长技术，分析，研究了降温，恒温两种方法生长的ＩｎＡｓＰＳｂ外延层组分分布。实验结果表明，用恒温方法生长的外延层，Ｐ、Ｓｂ组分分布均匀不变。
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1996年1期
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