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讨论了半导体材料中子嬗变掺杂（ Ｎ Ｔ Ｄ） 诱生缺陷的三种原因，即快中子辐射损伤、原子蜕变β辐射及γ辐射反冲造成的位移损伤。简述了由它们引起的缺陷的特性、常用的鉴别手段及相应的退火方法
半导体中子嬗变掺杂中的诱生缺陷
【摘 要】
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讨论了半导体材料中子嬗变掺杂（ Ｎ Ｔ Ｄ） 诱生缺陷的三种原因，即快中子辐射损伤、原子蜕变β辐射及γ辐射反冲造成的位移损伤。简述了由它们引起的缺陷的特性、常用的鉴别手段及相
【机 构】
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武汉大学物理系!武汉430072
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1999年3期
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