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碳化硅基MOSFETs器件研究进展

来源 :西安邮电大学学报 | 被引量 : 2次 | 上传用户：laopengtou

【摘 要】

：

基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已有SiC MOSFETs产品进入市场,故综述双注入MOSFETs(DMOSFETs)和沟槽MOSFETs(UMOSFETs)两种结构的SiC MOSFETs的研究进展和发展趋势,并介绍SiC MOSFETs器件制备的关键工艺和目前推出SiC MOSFET产品的

【作 者】

：

李金平 王琨 

【机 构】

：

国家国防科技工业局协作配套中心,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室

【出 处】

：

西安邮电大学学报

【发表日期】

：

2016年09期

【关键词】

：

碳化硅 功率器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 阻断电压 通态电阻 power device  MOSFET  breakdown voltage  on- 

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基于近20年的研发,宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的制备工艺逐步成熟,性能不断提高,已有SiC MOSFETs产品进入市场,故综述双注入MOSFETs(DMOSFETs)和沟槽MOSFETs(UMOSFETs)两种结构的SiC MOSFETs的研究进展和发展趋势,并介绍SiC MOSFETs器件制备的关键工艺和目前推出SiC MOSFET产品的公司及其产品性能。

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