快速汽相沉积法制备硅薄膜太阳电池

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：richardwang_wjw

【摘要】

：

对在重掺杂抛光单晶硅衬度用ＲＴＣＶＤ法形成硅薄膜太阳电池进行了研究。衬底为〈１００〉晶向Ｐ＾＋＋型重掺硅片，电阻率为５×１０＾－３Ωｃｍ。主要工艺过程为：在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼，膜厚３８μｍ，扩磷制备ｐ－ｎ结

【作者】

：

王文静许颖罗欣莲于民于元赵玉文

【机构】

：

北京市太阳能研究所,北京师范大学低能物理所

【出处】

：

太阳能学报

【发表日期】

：

1999年4期

【关键词】

：

硅薄膜太阳电池单晶硅汽相沉积法太阳电池 solarcell crystallinesilicon thinfilm

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对在重掺杂抛光单晶硅衬度用ＲＴＣＶＤ法形成硅薄膜太阳电池进行了研究。衬底为〈１００〉晶向Ｐ＾＋＋型重掺硅片，电阻率为５×１０＾－３Ωｃｍ。主要工艺过程为：在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼，膜厚３８μｍ，扩磷制备ｐ－ｎ结，背面蒸Ａｌ及Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ制背电极，正表面在扩散后生长一层ＳｉＯ２，前面用光刻剥离法制备Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ电极，制成的１ｃｍ＾２太阳电池，开路电压ＶＯＣ＝６１２．８ｍＶ，短路电流ＩＳ

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