【摘 要】
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以莠去津为模板分子,采用沉淀聚合法制备了莠去津分子印迹聚合物,并将其作为离子载体制备了低检出限莠去津分子印迹聚合物膜离子选择性电极。优化的电极膜组分（质量分数）为：PVC
【机 构】
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中国科学院烟台海岸带研究所、中国科学院及山东省海岸带环境过程重点实验室,中国科学院大学
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以莠去津为模板分子,采用沉淀聚合法制备了莠去津分子印迹聚合物,并将其作为离子载体制备了低检出限莠去津分子印迹聚合物膜离子选择性电极。优化的电极膜组分（质量分数）为：PVC 30.1%、o-NPOE 60.8%、NaTFPB 1.5%、MIP 7.6%,筛选适宜的内充液为0.01mol·L^-1 NaCl溶液,制得的电极在1.0×10^-7~1.0×10^-3 mol·L^-1的浓度范围内对莠去津离子呈能斯特响应,响应斜率为53.9mV·decade^-1,
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