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对MgO（110）单晶进行中子辐照，辐照剂量从1．0×10^16到1．0×10^20cm^-2。基于黄昆漫散射理论，我们计算了MgO晶体中的立方缺陷和偶极力缺陷引起的X射线漫散射强度分布图。通过X射线漫散射及紫外．可见光（uv．Vis）吸收光谱实验表征了晶体的点缺陷组态，并利用超导量子干涉仪（SQUID）测量了样品的磁性。“卜2e和摇摆曲线说明MgO单晶经中子辐照后产生了晶格畸变，晶体中存在一定浓度的点缺陷。倒易空间图（RSM）显示中子辐照的MgO单晶存在漫散射现象。与计算得到的漫散射