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依据退化实验结果，并结合半导体器件工艺模拟软件TCAD仿真，详细研究了高压绝缘体d2@（SOI）p型横向双扩散MOSFET（pLDMOS）~电流的热载流子退化机理，以及不同沟道长度和漂移区长度对器件热载流子退化的影响。研究结果表明，在应力初始阶段，热电子注入机制强于界面态机制，饱和电流随着应力时间的增加而增加；应力后期，界面态机制强于电子注入机制，饱和电流逐渐减小。此外，研究还发现，器件沟道越长，饱和电流退化越小；漂移区越长，饱和电流退化也越小。