日本制成高温半导体p-n结器件

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:drake0266
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最近日本报导以氮化硼材料制成了世界上第一只高温半导体p-n结器件.它在650℃下,仍能正常工作,比目前广泛应用的硅器件,在使用温度方面,一下提高了3倍多.可以想象,这种材料将给半导体工业带来广阔的前景,是一个重大的突破. Recently reported in Japan as the world’s first high temperature semiconductor boron nitride material made of pn junction device. It is still working at 650 ℃, than the currently widely used silicon devices, the use of temperature, about 3 More than doubled.It can be imagined that this material will bring broad prospects for the semiconductor industry is a major breakthrough.
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