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随着半导体器件向高频率和超大规模方向发展，不断提高光刻线宽控制水平是首要之举。通过对曝光和显影工艺过程的研究，得到了在MA6光刻机上实现1微米线宽精度的工艺参数，提高了光刻工艺的控制水平。
提高光刻线宽分辨率的实验与分析
【摘 要】
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随着半导体器件向高频率和超大规模方向发展，不断提高光刻线宽控制水平是首要之举。通过对曝光和显影工艺过程的研究，得到了在MA6光刻机上实现1微米线宽精度的工艺参数，提高了光
【机 构】
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北方通用电子集团有限公司微电子部
【出 处】
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集成电路通讯
【发表日期】
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2012年2期
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