【摘 要】
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研究了国产卫星用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1×109～5×1013 cm-2的变化.实验表明,2种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势.背
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,信息产业部第十八研究所
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研究了国产卫星用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1×109～5×1013 cm-2的变化.实验表明,2种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势.背场Si太阳电池性能参数短路电流Isc和最大输出功率Pmax衰降变化快,辐照注量为2×1010 cm-2时,Pmax就已衰降为原值的75%;而GaAs/Ge太阳电池对应相同的衰降辐照注量达8×1011 cm-2,且Isc和Pmax衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3×1012 cm-
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