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研究了在稀硫酸溶液中添加硫脲（TU）对块体纳米晶工业纯铁（BNII）室温电化学腐蚀行为的影响，并与普通工业纯铁（CPII）的室温电化学腐蚀行为进行了比较．结果表明：将CPII在添加TU的稀硫酸溶液中浸泡5min，其电化学阻抗（EIS）谱图中出现感抗弧．随着浸泡时间的延长，CPII的EIS谱图表现为一非圆心下偏的半圆；而在相同的条件下，BNII的EIS谱图表现为两个时间常数的容抗弧，表明硫脲对其腐蚀行为有促进作用．动电位极化（PDP）测试结果表明，两种材料的样品均出现阳极脱附现象．