【摘 要】
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传统GaAs HEMT栅结构为氮化硅结构,但是由于氮化硅材料介电常数大,导致器件栅寄生电容大,高频特性会变差,噪声也会恶化.本文对传统GaAs HEMT传统栅进行研究,提出一种低寄生高
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄 050051
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传统GaAs HEMT栅结构为氮化硅结构,但是由于氮化硅材料介电常数大,导致器件栅寄生电容大,高频特性会变差,噪声也会恶化.本文对传统GaAs HEMT传统栅进行研究,提出一种低寄生高可靠性SiO2/BCB复合介质栅结构,该复合介质栅结构能有效降低HEMT器件寄生电容,提升器件防潮抗湿能力,提高器件的高频特性,高可靠性.
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