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在极端环境中应用的SiC器件，稳定性会受到温度的严重影响，其主要原因与材料晶格动力学因素随温度的变化有关。为了研究SiC单晶材料晶格动力学对温度的依赖关系，该文利用拉曼散射技术对材料4H-SiC材料进行了从30—300K温度范围的光谱测量。结果表明，拉曼光谱的声学模和光学模峰位均出现虹移现象，但前者虹移量较大。分析认为：声学模峰位虹移的原因主要是由于晶格振动恢复力随温度升高而减小，使振动频率降低所致；而光学模峰住虹移则是由于原子相对运动随着温度升高而加剧，减弱了原子和晶胞之间的相互作用，因而引起振动频率的