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采用共沉淀法，在较低温度下制备了具有缺陷烧绿石结构的复合氧化物Ｃｄ２ｓＢ２ｏ６．８的纯相超微粉；研究了制备条件对物相、结构和气第敏性能的影响，并对其反应过程机进行了探讨。
气敏半导体材料Cd2Sb2O6.8的制备及其性能研究
【摘 要】
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采用共沉淀法，在较低温度下制备了具有缺陷烧绿石结构的复合氧化物Ｃｄ２ｓＢ２ｏ６．８的纯相超微粉；研究了制备条件对物相、结构和气第敏性能的影响，并对其反应过程机进行了探讨。
【机 构】
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中国科学技术大学材料科学与工程系
【出 处】
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高等学校化学学报
【发表日期】
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1998年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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