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以高纯石墨为靶材,采用射频磁控溅射法在不同工艺条件下制备了一系列高电阻、高透过率的CN薄膜.利用扫描电镜(SEM)、高阻抗率计、分光光度计对样品的表面形貌、电阻率和透过率进行了表征.结果表明,各种工艺条件下制备的CN薄膜都已初具晶型;薄膜生长状态良好,与基底结合较紧密;所制备的CN薄膜电阻率和透过率均可在一定范围内变化,能较好的满足元器件对薄膜性能的要求.