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前期研究发现，SiC颗粒在阴极有利于Ni结晶形核，为此研究了在电位-250～-1050mV（vs SCE）下，Ni-SiC复合体系电沉积阻抗谱特征，利用扫描电镜（附能谱仪）观察了Ni-SiC体系复合沉积初期的表面形貌。结果表明：Ni-SiC体系Nyquist谱主要表现为一个压扁的容抗半圆，随着电位负移，Ni-SiC沉积的电化学阻抗值基本呈下降趋势。在电位-750～-1050mV，Nyquist谱低频段还伴随一个感抗弧，Ni-SiC沉积的阻抗显著减小，反映Ni在铜基体上开始电结晶形核／生长；在低过电位（-2