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采用Ｔ．Ｂ－ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法，计算（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ超田格应变半导体材料的总态密度、局域态密度和分波态密度。论述了Ａｌ、Ｎａ、Ｃｌ、Ｐ等杂质及应变对（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ超晶格应变半导体的影响，并分析了相应状态下的要质能级。由此得出一些对新材料研究有重要参考价值的结论。