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研制出３０个单元的ＩｎＧＡａＳｐ／ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ分别限制双异质结单量子阱激光器列阵，器件外微分量子效率达７８％，发向波长８０８ｎｍ，准连续输出的光功率达２７Ｗ。
808nmInGaAsP／InGaP／GaAs激光器列阵
【摘 要】
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研制出３０个单元的ＩｎＧＡａＳｐ／ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ分别限制双异质结单量子阱激光器列阵，器件外微分量子效率达７８％，发向波长８０８ｎｍ，准连续输出的光功率达２７Ｗ。
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,中国科学院激发态物理开放研究实验室
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1999年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金,中国科学院院长基金,吉林省科委资助课题
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