噪声系数达到0.25dB的SiGe LNA

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东芝公司开发出SiGe基低噪声放大器(LNA),2GHz下其噪声系数仅0.52dB。东芝公司声称,这是业界SiGe晶体管低噪声放大器的最低噪声系数,可与价格贵得多的GaAs晶体管低噪声放大器相媲美。这种新部件用于无线局域网(WLAN)和全球定位系统(GPS),用优化SiGe双极工艺研制而成,封装在四腿封装盒中,其尺寸是业界最小,仅1.2×1.2×0.52mm。 Toshiba has developed a SiGe-based low-noise amplifier (LNA) with a noise figure of only 0.52dB at 2GHz. Toshiba claims that this is the lowest noise figure of the industry-standard SiGe LNAs, comparable to the much more expensive GaAs LNAs. Developed for optimized WLAN and GPS applications, the new device is housed in a four-legged package in the industry’s smallest footprint of only 1.2 × 1.2 × 0.52mm .
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