【摘 要】
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设计并制作了1.55 μm偏振无关半导体光放大器腔面TiO2/SiO2多层减反膜,工艺过程中设计并使用了反射率实时监控装置,得到了低于5×10-4的腔面剩余反射率.器件测试结果表
【机 构】
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华中科技大学电子与信息工程系,华中科技大学电子与信息工程系,华中科技大学光电子工程系
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设计并制作了1.55 μm偏振无关半导体光放大器腔面TiO2/SiO2多层减反膜,工艺过程中设计并使用了反射率实时监控装置,得到了低于5×10-4的腔面剩余反射率.器件测试结果表明,管芯在250 mA电流下仍处于未激射状态,表明减反膜有效抑制了芯片的激射.半导体光放大器的自发辐射(ASE)谱波动在0.4 dB以下,3 dB带宽大于52 nm,半导体光放大器小信号增益近27 dB,在1520～1580 nm波长范围内偏振灵敏度小于0.5 dB.
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