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惠普公司的科学家在忆阻器的研发上取得新突破，他们弄清楚了忆阻器在电操作期问，其内部的化学性质和结构变化，借此可以改进现有忆阻器的性能。相关研究发表在16日出版的《纳米技术》杂志上。忆阻器是一种有天然记忆功能的非线性电阻，通过控制电流的变化可改变其阻值，阻值的高低可以用来代表数字计算机中的“1”和“0”，以实现数据存储。