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利用液相法在锡掺杂氧化铟(简称ITO)上制备了硫化铅(PbS)薄膜,将得到的PbS薄膜在300℃氮气中进行不同时间(0~60min)的退火。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计(UV-Vis)和霍尔效应测试系统(Hall-effect)对PbS薄膜的结构和性质进行了研究。结果表明:退火时间为20min的PbS薄膜在ITO基底上粘附力较强,结晶度良好,其带隙为0.65eV。进一步的霍尔效应分析表明所制备的PbS薄膜适合作为薄膜太阳能电池的活性层。