论文部分内容阅读
应用转移矩阵方法,计算了多层半导体结构的电子透射系数,研究了三元准周期超晶格的电子共振隧穿性质,讨论了不同结构对隧穿性质的影响。结果表明:准周期超晶格结构的自相似性导致了电子透射率谱的自相似性;随着代数的增加,高透射率的区域越来越集中于某一小的能量范围;对应不同的排列结构,电子透射率随能量的分布也不相同,透射率较大的能量位置与系统中占多数的那种势阱的能级相对应。