【摘 要】
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分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长 Ga Al As/Ga As GRIN-SCH-SQW结构 ,经光荧光谱
【机 构】
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分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。利用分子束外延系统生长 Ga Al As/Ga As GRIN-SCH-SQW结构 ,经光荧光谱、X-射线双晶衍射、和载流子浓度测试 ,结果表明 ,该结构各参数均满足设计要求。应用此结构制成激光器阵列 ,室温准连续输出功率达5 8W(t=2 0 0 μs,f=5 0 Hz) ,峰值波长为 80 8nm。
The characteristics of GRIN-SCH-SQW (single quantum well) structure and the influence on the characteristics of high power semiconductor lasers are analyzed. GaAl As / Ga As GRIN-SCH-SQW structure was grown by molecular beam epitaxy system. The results of fluorescence spectrum, X-ray double crystal diffraction and carrier concentration showed that the parameters of the structure satisfied the design requirements. Using this structure, a laser array was fabricated. The quasi-continuous output power at room temperature was 58 W (t = 200 μs, f = 50 Hz) and the peak wavelength was 80 8 nm.
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