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目的
应用经颅磁刺激技术探讨间歇低氧对颏舌肌运动皮质区的影响。
方法选取Sprague–Dawley雄性大鼠80只按照随机数字表法分为正常对照组(10只)和间歇低氧组(各低氧组10只)，应用经颅磁刺激刺激两组大鼠颏舌肌运动皮质区并记录刺激后的反应，测量并比较反应潜伏期和幅度，多组间数据比较采用单因素方差分析。
结果大鼠大脑皮质前外侧区是颏舌肌运动皮质区最佳经颅磁刺激位点。与对照组[(5.20±0.64)ms，(1.21±0.53)mV]相比，间歇低氧大鼠颏舌肌运动皮质区的经颅磁刺激反应潜伏期在低氧第1天[(4.90±0.54)ms]和第14天[(4.64±1.71)ms]显著缩短，差异有统计学意义(F＝3.294，P<0.01)；反应幅度在低氧第1天[(2.28±0.57)mV]和第7天[(1.89±0.20)mV]显著增高(F＝1.905，P<0.05)。
结论间歇低氧可以引起大鼠颏舌肌运动皮质区的反应性增加。