MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nxf_2004_0
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基于MOSFET热载流子可靠性物理,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Idso、Isub等实测数据的拟合处理,发现了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型;进而由自动测试ATE与CAD技术相结合的监测系统,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度Lc和寿命因子H、m、n提取,实验研究结果表明,模型及提取参数合理可信,并可进一步应用于MOSFET及其电路的退化/
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