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文章以金属镓（Ga）、铟（In）和氧化亚锡（SnO）粉末作为前驱反应物，通过简单的热蒸方法成功制备出双掺杂的氧化物ISGO（掺杂了In、sn的Ga2O3）纳米线。样品的形貌、结构与成分的测定分别在场发射扫描电镜、X射线衍射谱仪、选区电子衍射、高分辨透射电镜以及X射线能量散射谱仪上进行，结果表明已合成的纳米线为掺杂In和Sn具有单斜晶结构的β-Ga2O3；还提出了用自催化气-液-固（VLS）生长机制来解释双掺杂氧化物ISGO纳米线的生长；提出了由于Sn和In成分的双掺杂，使得其发光峰的峰位明显红移、半高宽变