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2008年，绝大多数的前端工艺技术需求表都需要进行更新。最重要的更新是表FEP4a和4b：热生长／薄膜／掺杂／刻蚀。表FEP4的变动受到新的ORTC高性能、低待机功耗、低运行功耗逻辑器件物理栅长按比例缩小模型的驱动。
国际半导体技术发展路线图2008年更新版综述（四）
【摘 要】
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2008年，绝大多数的前端工艺技术需求表都需要进行更新。最重要的更新是表FEP4a和4b：热生长／薄膜／掺杂／刻蚀。表FEP4的变动受到新的ORTC高性能、低待机功耗、低运行功耗逻辑器件物
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2009年9期
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