【摘 要】
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本文介绍了一种动态MOS RAM测试方法,并且详细地论述了开关电容(或单管)MOS RAM的测试问题。测试程序是从对制造存储器电路的工艺的了解提出来的。首先,评论有关设计弱点和失
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本文介绍了一种动态MOS RAM测试方法,并且详细地论述了开关电容(或单管)MOS RAM的测试问题。测试程序是从对制造存储器电路的工艺的了解提出来的。首先,评论有关设计弱点和失效模型,得出四种简单的图案灵敏性程序。最后介绍一种进行设计和提高成品率都有效的测试流程。
This article describes a dynamic MOS RAM test method and discusses in detail the test problems of switched capacitor (or single tube) MOS RAM. The test procedure is based on an understanding of the process used to fabricate the memory circuit. First, comment on design weaknesses and failure models, resulting in four simple pattern-sensitivity programs. Finally, we introduce a test procedure that is effective in designing and improving the yield.
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