【摘 要】
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分别以脉冲电沉积法和直流电沉积法制备了稀土填充热电材料Bi2Sb3Rex（Re=Ce,Nd）。结果表明,采用脉冲电沉积法,在通断脉宽为Ton=10ms（电流1A）,Toff=40ms（电流0A）,电流密度2000A.m-2,
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分别以脉冲电沉积法和直流电沉积法制备了稀土填充热电材料Bi2Sb3Rex（Re=Ce,Nd）。结果表明,采用脉冲电沉积法,在通断脉宽为Ton=10ms（电流1A）,Toff=40ms（电流0A）,电流密度2000A.m-2,电沉积时间180s的条件下制得的电沉积膜Bi2Sb3Ce2,表面均匀、光滑、致密;在通断脉宽为Ton=0.4ms（电流1A）,Toff=2.4ms（电流0A）,电流密度2800A.m-2,电沉积时间120s,占空比为0.142的条件下制得的电沉积膜Bi2Sb3Nd0.1,表面均匀、光滑
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