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采用射频磁控溅射设备，在硅（111）衬底上制备了光电半导体薄膜Mg2Si。通过X线衍射仪（XRD）和场致发射扫描电子显微镜（FESEM）对Mg2Si的晶体结构和微观形貌进行了表征，研究了功率参数对光电半导体薄膜Mg2Si外延择优取向的影响。结果表明，在60-90W的溅射功率范围内，硅基外延Mg2Si具有Mg2Si（220）的外延择优生长特性，且随着溅射功率的增加Mg2Si（220）晶面的衍射峰强度先增大后减小，在70W溅射功率下Mg2Si（220）晶面的衍射峰强度最强。